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磷酸二氢钾(KDP),磷酸二氘钾(DKDP)由于其拥有优越的紫外透过,高损伤阈值,双折射系数高等特性,被广泛地应用在多种工业用途(其非线性系数偏低)。这两种晶体通常被用于做Nd:YAG激光器的二、三、四倍频器件（室温条件下）。另外，它们也具有电光系数高的特点，故也被用于制作Q开关等。公司能为您提供高质量、不同尺寸的KDP和KD*P晶体，因为其抛光面容易潮解，故建议在密封、干燥环境下使用；并且可以依照客户提供的激光系统要求，专门制作对应的晶体及密封支架。
基本特性:
半波电压低
线性电光系数大
透过波段宽
光学均匀性好
优良的铁电、压电和电光性能
KDP KD*P
分子式KH2PO4 KD2PO4
透过波段200-1500nm 200-1600nm
非线性系数d36=0.44pm/V d36=0.40pm/V
折射率(1064nm) no=1.4938, ne=1.4599 No=1.4948, ne=1.4554
电光系数r41=8.8pm/V r41=8.8pm/V
r63=10.3pm/V r63=25pm/V
纵向半波电压: Vp=7.65KV(l=546nm) Vp=2.98KV(l=546nm)
光吸收：0.07/cm 0.006/cm
光损伤阈值：>5 GW/cm2 >3 GW/cm2
消光比：30dB
KDP的Sellmier方程
no2=2.259276+0.01008956/(λ2-0.012942625)+13.00522λ2/(λ2-400)
ne2=2.132668+0.008637494/(λ2-0.012281043)+3.2279924λ2/(λ2-400)
KD*P的Sellmier方程
no2=1.9575544+0.2901391λ2/(λ2-0.0281399)-0.02824391λ2+0.004977826λ2
ne2=1.5005779+0.6276034λ2/(λ2-0.0131558)-0.01054063λ2+0.002243821λ2
产品规格:
最大尺寸：100x100mm2
含氘量：96%
平行度: <20秒
垂直度：<5分
平面度:λ/8 @ 633nm
光洁度:10/5
尺寸公差: (宽±0.1mm)x(高±0.1mm)x(长+0.1/-0.1mm) (长度<2.5mm)
（宽±0.1mm)x(高±0.1mm) x(长+0.5/-0.1mm) (长度>=2.5mm)
角度偏差:△θ≤±0.25°,△φ≤±0.25°
波前畸变:<λ/8 @ 633nm
通光孔径: >90%中央直径
倒角：≤0.2mmx45°
崩边：≤0.1mm
操作阈值[GW/cm2]:
>0.5 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)
>0.3 for 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)
品质保证期:一年内正常使用。
KDP |
KD*P |
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分子式 |
KH2PO4 |
KD2PO4 |
透过波段 |
200-1500nm |
200-1600nm |
非线性系数 |
d36=0.44pm/V |
d36=0.40pm/V |
折射率(1064nm) |
no=1.4938, ne=1.4599 |
No=1.4948, ne=1.4554 |
电光系数 |
r41=8.8pm/V |
r41=8.8pm/V |
r63=10.3pm/V |
r63=25pm/V |
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纵向半波电压 |
Vπ=7.65KV(λ=546nm) |
Vπ=2.98KV(λ=546nm) |
光吸收 |
0.07/cm |
0.006/cm |
光损伤阈值 |
>5 GW/cm2 |
>3 GW/cm2 |
消光比 |
30dB |
30dB |
KDP的Sellmier方程 |
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no2=2.259276+0.01008956/(λ2-0.012942625)+13.00522λ2/(λ2-400) |
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ne2=2.132668+0.008637494/(λ2-0.012281043)+3.2279924λ2/(λ2-400) |
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Sellmeier equations of DKDP:(λ in um) |
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