阅读| 订阅
阅读| 订阅
激光人物

苏州科技世家走出的半导体科学奠基人

星之球科技来源:城市商报2014-08-07我要评论(0)

1949年,王守武、葛修怀夫妇在美国普渡大学 7月30日,我国著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中科院院士王守武先生因病医治无效在美国逝世,享年95岁...

1949年,王守武、葛修怀夫妇在美国普渡大学

  7月30日,我国著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中科院院士王守武先生因病医治无效在美国逝世,享年95岁。王守武是我国著名的半导体器件物理学家、微电子学家。1980年当选中国科学院学部委员(院士)。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。

  或许你们会觉得王守武院士仍离我们很遥远,但事实上,他却是个地地道道的苏州人。“王院士于1919年出生在苏州,曾在苏州中学求学。”昨天,苏州大学物理系副教授张橙华向记者讲述了王守武院士的事迹。

在这个科技世家

  他是个“笨小孩”

  1919年,王守武出生于苏州名门望族——东山莫釐王氏,在他家族中有一批科技泰斗:大哥王守竞是著名物理学家,弟弟王守觉院士也是半导体专家。大姐王淑贞,上海红房子妇产医院院长,二姐王明贞,物理学家,清华教授。姑表姐妹中何怡贞是留美博士,固体物理学家;何泽慧是留德博士,核物理学家,中科院院士……

  王家子女大都天资聪颖早慧,当父亲王季同出智力测验题目,哥哥姐姐们常会争先回答,而王守武从小体弱多病,不爱活动,也不爱说话,那时在哥哥姐姐眼中,他是个木讷的弟弟。实际上,数学的种子已深埋在这个“笨小孩”的心中。

  父亲王季同退休后全家回苏州,王守武便转入苏州中学。学了三角和代数后,想起幼时听父亲讲过圆周率,他写成《圆周率π的级数展开》,发表在校刊上。因疟疾耽误考试,只得进同济大学机电系,毕业后任教同济大学。考取自费留美后,1945年入普渡大学攻读工程力学,各门成绩优异,获硕士学位后又进物理系学习材料科学,1949年获博士学位。

 领导制成我国第一根锗单晶

  王守武曾经在中科院应用物理研究所工作,他先后完成了西藏地区生活用太阳灶设计,志愿军夜间行车防空袭车灯设计,还和同事一起安装调试了中国第一台电子显微镜,后组建了应用物理所电学组。

  王守武接触半导体缘于偶然。应用物理所的一个仪表坏了,给他修理,拆开后发现,里面的氧化亚铜整流器坏了。经过查阅文献,王守武搞清楚了氧化亚铜整流器的工作原理、氧化亚铜的实验室制备方法,不仅修好了仪器,还开始尝试自己动手制作这种整流器。

  随后,他领导设计制造了锗单晶炉,于1957年底制成我国第一根锗单晶;之后研制成我国第一批锗合金结晶体管。1957年林兰英回国,王守武去宾馆聘请她任半导体材料研究组组长。经王守武与林兰英的共同努力,我国第一根硅单晶于1958年7月问世。

  在王守武与其他同志的组织领导下,于1958年创建了我国第一家晶体管厂—中科院109厂,到1959年底,为109乙计算机提供了12个品种、14.5万多只锗晶体管,供中科院计算所研制新型计算机,用于研制两弹。

  1962年,美国制成砷化镓半导体激光器,应用前景广泛。王守武在次年就组织研制半导体激光器,并在年底研制成我国第一只半导体激光器。他指导并参与研制激光通信机和激光测距仪,填补国内空白,支援国防现代化和国民经济建设。

一份手写的苏州籍院士资料

  采访中,张橙华回忆起曾经拜访王守武时的情景,感慨万千。“大约是在1992年,因为要编写《苏州院士》这本书,我第一个就想到了王守武院士,并北上拜访他。”

  北京大学、复旦大学兼职教授,成都电子科技大学名誉教授,以及中国科学院研究生院终身教授等职。第三、四届全国人大代表,第五、六、七届全国政协委员……可实际接触后才发现,他只不过是一个和蔼可亲的老人,一个始终情系家乡的苏州人。

  “王守武院士为我们编撰 《苏州院士》提供了很大的帮助。”回到苏州后不久,张橙华就收到了来自北京的信件。上面录入了20多个苏州院士的详细名单和信息。这些,都是王守武手写下来后,一条一条剪贴在信纸上的,这也是当时最详细的苏州院士名单。信件中,还提及了对家乡的思念之情。

  “王守武先生把发展我国半导体科学事业视为已任,兢兢业业为之奋斗了一生。”张橙华说,他为人忠厚、诚实,待人谦和,总是谦虚谨慎。

  2014年8月12日(星期二)上午9:00-11:00,王守武先生追思会将在中国科学院半导体研究所学术会议中心举行。

●相关链接

 王守武

  中国半导体事业奠基人之一

  (1919.3.15—2014.7.30)苏州人,毕业于同济大学。留美博士。1956年参加编制我国12年科学规划,领导设计制造了我国第一台拉制锗的单晶炉,制成了第一批锗合金管和合金扩散管,并筹建中科院半导体研究所。领导设计制造了我国第一个半导体激光器。为我国半导体元器件奠定基础作出了重要的贡献。他曾任半导体所所长,国务院电子计算机和大规模集成电路领导组集成电路顾问组组长,中国电子学会半导体与集成技术学会主任委员,《半导体学报》主编。多次获中科院重大成果奖,1979年获全国劳动模范称号。1980年当选中国科学院院士,是第三、四届全国人大代表,第五、六、七届全国政协委员。

转载请注明出处。

免责声明

① 凡本网未注明其他出处的作品,版权均属于hth官方 ,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的,应在授权范围内使 用,并注明"来源:hth官方 ”。违反上述声明者,本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责,版权归原作者所有,如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益,请及时向本网提出书面权利通知,并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后,将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。

网友点评
0 相关评论
精彩导读
新闻更新 关键字库 产品更新 企业名录 新闻文章 会议展览 站点地图
Baidu
map