摘要：文章研究半导体激光器的特性及激光加工应用，进一步的研究了通快公司Tru Diode系统激光器的特性，并通过Tru Diode4006激光器进行激光钎焊工艺试验，研究ALO3激光头不同参数下实际光斑大小，同时研究不同焊接速度、不同热丝电流、不同装配间隙下的焊缝成型规律。

关键词：半导体激光器；Tru Diode4006；激光钎焊；标准；工艺研究

1、半导体激光器的特性

半导体激光器也称为半导体激光二极管，或简称激光二极管(LaserDiode，缩写LD)。由于半导体材料本身物质结构的特异性以及半导体材料中电子运动规律的特殊性，使半导体激光器的工作特性有其特殊性。

半导体激光器采用注入电流方式泵浦。根据生成pn结所用材料和结构的不同，半导体激光器有同质结、异质结(单、双)、量子阱等多种类型。量子阱半导体激光器技术的成熟，半导体激光器的特性大大提高，具有阑值电流低易于进行高速电流调制，输出功率高，频率响应好，光谱线窄和温度稳定性好和较高的电光转换效率(50%以上)等许多优点。半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长(一般可达数十万乃至百万小时以上)，因此，品种发展快，应用范围广。

半导体激光器以半导体材料为工作物质。常用的半导体材料主要有三类：(1)ⅢA—ⅤA 族化合物半导体，如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等。(2)ⅡB —ⅥA族化合物半导体，如硫化镉(CdS)等。(3)ⅣA—ⅥA族化合物半导体，如碲锡铅(PbSnTe)等。