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中科院半导体研究所全固态激光器等有效专利汇总

来源:中科院2014-10-30我要评论(0)

1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技

1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所,开启了中国半导体科学技术的发展之路。

  半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心;三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区);两个院级实验室(中心)—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心。此外,还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、元器件检测中心和半导体能源研究发展中心。

  截至2013年底,半导体研究所共有有效专利586项,其中发明专利559项,实用新型27项,激光成像系统专利12项占总专利数2%,全固态激光器13项,占所有专利约2%。

  有效技术专利分布图及激光成像系统和全固态激光器系统专利详细内容列表

  小结

  通常所说的有效专利,是指,专利申请被授权后,仍处于有效状态的专利。要使专利处于有效状态,首先,该专利权还处在法定保护期限内,另外,专利权人需要按规定缴纳了年费。

  专利申请被授权后,因为已经超过法定保护期限或因为专利权人未及时缴纳专利年费而丧失了专利权之后,称为失效专利。失效专利对所设计的技术的使用不再有约束力。

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