近日，英国伦敦大学学院(University College London)研究人员携手来自英国谢菲尔德大学(The University of Sheffield)及英国卡迪夫大学(Cardiff University)的科研团队在硅光电子领域取得突破性进展：该团队在国际上首次实现了可实用高性能硅激光器，打破了硅基光电子领域30多年来没有可实用硅基光源的瓶颈。该硅激光器工作于1310nm通信波段，其预计使用寿命超过10万个小时。此突破性进展对未来大规模硅基光电子集成找到了新的方向!国际顶级学术期刊《自然·光子学》(Nature Photonics)于伦敦时间3月7日在线发布了这一重大科研成果[Nature Photo nics doi: 10.1038/nphoton.2016.21]。
当该研究团队走到台前，令人震惊地发现团队中，80后华人研究人员竟是主力军。
该项目主要负责人，文章的第一及通讯作者——86年出生的陈思铭博士表示，将高性能III-V族通讯波段激光器集成到硅衬底上一直以来是科学和工业界的梦想，但一直未能实现，经过团队的不懈努力，通过直接在硅衬底上用分子束外延技术生长III-V族量子点激光器的方法最终攻克了这一世界难题。
团队核心成员，——生于82年的巫江博士表示, 我们下一步将致力于把硅激光器与传统微电子处理器结合，以光子代替电子作为载体大幅度提升传统半导体芯片传输速度和带宽，进而发展出以光为介质的超高速处理器。
来自谢菲尔德大学，生于88年的博士生李炜则表示，能加入这个优秀的团队并亲身参与到该项目中她感到非常幸运，也从中学到了很多。让她对未来的科研道路充满了信心。
该科研团队的领军人物，刘会赟教授表示，这些年轻科研人员在科研工作中表现出来的刻苦和钻研精神给他留下了很深的印象，让他对80后的年轻工作者刮目相看!刘教授补充到我们研制出的硅基点激光器还属于实验雏形，并未形成产品。我们计划在三年内将此技术转化为产品，在资金和政策支持的前提下五年内实现产业化。
此外，这些年轻的中国籍科研工作者，虽然身在国外却时刻心系祖国科技发展事业,他们表示希望早日归国，将在国外取得的科研成果成功嫁接到中国的科研土壤，为祖国的半导体事业奉献自己的一份力量。