硅材料彻底改变了电气设备的制造形式。这种丰富的半导体很容易被加工成微小的组件，如晶体管等，而其中使用的方法是可扩展到工业制造水平上的，从而使得成千上万的元器件可集成在一个单一的芯片上进行生产。电子工程师想进一步扩大这些集成电路的功能，使它们能够创建、处理和检测光。
这些光电器件可以加快数字信息的处理速度，并可实现微米尺度的激光器，例如可用在条形码扫描仪上。然而，问题是，硅材料并不是一个有效的光发生器。
Ng的团队设计并制作了一种结合硅和可以发光的半导体材料的激光器，这种半导体材料是铟镓砷化物（InGaAsP）。“我们的研究结果显示，这可能实现硅基的一种高效、紧凑的有源光电子器件的实现方法，即用一个非常薄的III-V族的半导体硅层，”Ng说。
在任何激光结构中的一个重要的考虑因素是光的反馈，即在结构内捕获光的能力，以进一步驱动光的产生。在传统的激光器中，这是通过放置在光产生区的任何一侧的一面镜子实现。相反，Ng和团队使用了一个圆柱形的几何设备。这会把产生的一些光捕获在设备的壁上，并迫使它在气缸内传播。这被称为回音廊模式，因为同样的效果会发生在一个圆形的房间里，如圆顶大教堂中的声波。
该团队一开始使用一个硅衬底，他们沉积了一层薄薄的氧化硅。具有光学活性的InGaAsP的薄膜，只有210纳米厚，是单独制造的，然后粘上氧化硅。然后，该团队通过一些材料蚀刻，以创建气缸，具有两个或三微米的直径。三微米器件发射的激光光的波长为1519纳米，这非常接近商业光通信系统中使用的波长。
这个装置具有一个独特的功能，回音壁模式延伸到了硅和InGaAsP区域。InGaAsP可提供光放大，而硅可被动引导光。“下一步，我们希望将这些想法应用于室温下的设备中，”Ng说。“在更高的温度下的操作将需要对激光器的设计和制造进行调整。”
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