稀铋半导体材料具有一系列不同于传统三五族材料的优良特性,是一种富有潜力的新型光电器件材料,也是当前国际上研究的热门领域之一。其中镓砷铋材料由于其较大的带隙收缩效应、自旋轨道分裂能和较低的温敏性等特点,被认为是光通讯系统中非制冷激光器最具潜力的新材料之一。但是,为了有效凝入铋组分,镓砷铋材料生长需要较低温度,这就容易导致缺陷密度增大从而影响材料的发光性能,激光器材料生长有极大挑战。上海微系统所吴晓燕、潘文武等人基于分子束外延技术优化生长了高质量的镓砷铋量子阱材料,成功制备较高性能的镓砷铋量子阱激光器,发光波长拓展到1.142微米,同时其特征温度和波长温敏系数均优于当前商用的InP基激光器。该项研究有助于推动新型稀铋材料在光电器件领域的应用。
该项工作得到了“973”项目和国家自然科学基金重点项目的资助。
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