CST国际引领的100万美元项目开发高速DFB激光器

创新英国资助的DiLaN合作伙伴关系正在使用纳米压印光刻技术来开发下一代通信的来源。

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Sivers IMA控股公司的子公司CST Global和III-V光电半导体代工厂正在使用纳米压印光刻（“DiLaN”）项目，引导英国政府资助的二极管激光制造工艺。

DiLaN项目的目标是生产高速DFB激光器，其宽带线路速率明显高于目前可用的，同时使用新的制造工艺，旨在将激光成本削减三分之一。

CST Global工程总监Andrew McKee表示：“光纤到房地产市场的宽带通信大幅增长有两个驱动因素。”

第一是对单模半导体激光解决方案的需求快速增长，目前每年超过1亿台。第二个是使用当前无源光网络技术的激光器在1.25-2.5 Gbit / s的数据速率能力不足以满足下一代网络不断增长的带宽需求。

“纳米压印光刻术被广泛认为是以低成本生产高通量，高分辨率，单模半导体激光器的最值得信赖的方法。这些激光器也工作在1310-1550nm波长频谱，这支持下一代网络所需的线路速率的提高。“

合作伙伴

Andrew McKee

DiLaN项目 - 在英国研究委员会网站上有更详细的描述 - 正在寻求为大容量DFB半导体激光器实现商业上可行的纳米压印光刻生产工艺。

例如源将使得能够提供25Gbps的增加的数据速率和所需的成本节省，估计每个激光器高达30％。 CST Global是项目负责人，得到加的夫大学和斯旺西与西威斯特大学学院的合作伙伴与商业伙伴化合物半导体中心的支持。DiLaN项目授权价值为82.1万英镑，CST Global获得了26.8万英镑。资助组织是创新英国，一个英国政府的工程和物理科学研究资助机构。该项目会从2017年2月进行到2019年1月。

翻译/Nick
（原文链接：http://optics.org/news/8/8/13）

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