8月17日，宽带隙化合物半导体的领导者II-VI宣布完成为东莞天域半导体科技有限公司提供150nm碳化硅（SiC）基片超过1亿美元的合同。该基片将于本季度开始交付，直到2023年年底。

东莞天域半导体成立于2009年，是中国第一家最大的SiC外延晶片制造商之一。该公司与II-VI公司签署了一份长期供应合同，并支付了预付款，以确保其150nm SiC基板产能将满足其到2023年的需求。

当下，交通基础设施和工业设备的电气化正在加速以第三代或宽带隙半导体碳化硅 (SiC) 为基础的电力电子的市场转型。与最先进的硅基器件相比，SiC使电力电子器件体积更小、效率更高，拥有的总系统级成本更低。另外，鉴于其广泛的应用范围，基于SiC的电力电子产品能够显著减少二氧化碳排放和能源消耗，对环境有着非常有益的影响。

此前2021年11月，天域选择II-VI作为其主要战略合作伙伴，为电力电子产品供应150nm SiC基片。随着终端需求的大幅增长，天域通过这份长期、大批量的合同来确保供应变得至关重要，这份合同将会反复重申，并随着时间的推移而持续增值。

II-VI去年曾表示，未来5年内，将SiC衬底的生产能力提高5-10倍。为了满足亚洲市场的需求，II-VI在2021年建立了一条超过50,000平方公里的SiC基板后端加工生产线，位于中国福州的II-VI亚洲区域总部。该生产线主要进行后端SiC晶圆加工，包括化学机械抛光、边缘研磨、清洗和检测，生产的产品主要用于SiC导电衬底。最终，天域将受益于II-VI在美国和中国的150nm SiC全球产能。

早在今年3月8日，东莞天域的“国产碳化硅外延设备产业化应用”项目已获得广东省发改委正式复核通过。公告显示，该项目总投资额为2.138亿元，计划年产2万片碳化硅外延片。

天域和II-VI将提供高质量可靠的供应链和未来200nm的能力，这对支持电动汽车、可再生能源、智能电网、微电网和数据网络电源等超级市场对SiC电力电子产品的快速增长的需求至关重要。天宇已经做好了服务中国电动汽车电力电子市场的准备，中国目前是世界上最大的电动汽车市场。