度亘核芯（DoGain）在2023年1月29日美国旧金山举行的西部光电会议（Photonics West 2023）上发布了在高功率9xxnm半导体激光方面的最新进展。开发的915nm单管激光芯片，国际上首次实现了单管器件高达55W的功率输出！

图1. 9xxnm半导体激光芯片结构示意图

图2. 9xxnm半导体激光器件COS结构示意图

高功率、高效率、高亮度是激光技术和应用孜孜以求的目标，也是当前激光技术领域中比较活跃的研究领域。我们通过对基础物理、材料科学以及器件制备工艺的深入研究，优化了芯片的内量子效率、腔内光学损耗以及腔面的高负载能力，成功实现了输出功率和电光转换效率的显著提高。开发的915nm单管激光芯片，在室温和55A连续工作条件下，突破性的实现了55.5W的高输出功率，而且具有高的电光转换效率、小的水平发散角和高的偏振度。

图3. 25℃，CW条件下，915nm 功率、电压和电光转换效率随电流变化曲线

度亘很荣幸将此技术及产品推向市场，为客户提供高功率、高效率、高性价比的有效解决方案。度亘也将持续聚焦核心光电领域，提升产品的性能和可靠性，持续不断的为客户提供更优质的产品。