据悉，高功率高亮度半导体激光芯片是激光产业链的基石与源头，激光芯片的功率、亮度、可靠性作为核心指标，直接影响激光系统的性能、体积与成本，是实现激光系统小型化、轻量化、智能化的前提和保证。长光华芯致力于更高功率、更高亮度单管芯片的研发与生产，日前单管芯片功率突破性的达到66W。

　　2023年1月，在photonics west 2023会议上， 长光华芯首次报道了在亮度保持不变的条件下(芯片条宽230μm)，芯片出光功率提升20%(功率从32W提升到40W)，最大功率超过51W.该芯片的功率亮度性能是230μm条宽下高功率激光芯片已知报道的最高水平，长光华芯为实现高亮度条件下芯片功率的持续提升而不断探索。

　　2023年2月，基于在photonics west报道的芯片技术长光华芯开发了更高功率芯片宽条宽半导体激光芯片，在业内首次推出最大功率超过66W的单管芯片(热沉温度为室温)，芯片条宽290μm，最大效率超过70%，工作效率超过63%，这是迄今已知报道的条宽在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

　　长光华芯专注于研发和生产半导体激光芯片，核心技术覆盖半导体激光行业最核心领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题，建成了完全自研的芯片设计、MOCVD(外延)、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业，有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。