硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G／6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III－V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题，在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需解决一系列关键的科学与技术难点。

近期，半导体所材料科学重点实验室杨涛－杨晓光团队在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要研究进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm－2量级。采用叠层InAs／GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂＋直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区，研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下，该器件连续输出功率超过70mW，阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30％。该器件最高连续工作温度超过115°C，为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述技术与结果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。

相关研究成果以题目《Significantly enhanced performance of InAs／GaAs quantum dot lasers on Si（001） via spatially separated co－doping》2023年6月1日发表在Optics Express上。文章刊出两周后，国际半导体行业著名杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了该项成果。

本研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目支持。

图1 硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。

图2 采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P－I曲线，插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。