新墨西哥州阿尔布开尔基的桑迪亚国家实验室取得了微光学领域的开创性突破，通过开发一种创新方法，成功地将多种微光学元件无缝集成到硅基底上。这一前沿技术的成果获得了新的专利，突显了他们在集成光学技术领域的引领地位。其核心在于将一种新型硅集成微激光器与不同微尺度光学元件相融合，为自动驾驶汽车、数据中心、生物化学传感和国防技术等领域的应用带来了重大影响。

图：研究人员在一块直径为3英寸的金电镀硅晶片上进行了激光器和放大器的集成。

最近授予桑迪亚的专利标志着在多种材料集成于硅基底的领域取得了关键性进展，为高速高带宽光学元件的开发奠定了基础。涵盖了铟磷化物激光器、锂铌酸铯调制器、锗探测器和低损耗声光隔离器等一系列组件。正如桑迪亚于8月1日的正式声明中所强调的那样，这一创新为“在硅上构建激光器创造了复杂且非凡的成就，可能会在半导体技术领域扩展美国的领导地位。”

尽管类似的激光器开发在其他机构，如加利福尼亚大学圣巴巴拉分校和英特尔已有记录，但桑迪亚的贡献通过在单一光子集成电路上实现不同光学元件的协同作用，超越了常规。美国国家安全光子学中心的共同领导者帕特里克·朱强调了这一成就的战略意义：“这一突破使美国更加自主，减少对外国制造能力的依赖。”