晶飞半导体获天使轮融资，创新激光技术降低碳化硅衬底成本

晶飞半导体完成天使轮数千万融资

专注于半导体激光领域的初创公司晶飞半导体成功完成了数千万元的天使轮融资。本次融资由无限基金SEE Fund领投，德联资本和中科神光跟投。

本轮融资主要用于公司的技术研发、市场拓展以及团队建设。这一投资将进一步加速晶飞在半导体领域的创新步伐，为推动公司技术和产品的不断升级提供了有力支持。

德联资本康乾熙表示：新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市场潜力巨大，但 成本是制约其渗透率的关键因素。在器件层面，碳化硅衬底成本占比高达47%，且由于其材料物理特性，在切片环节中近一半的材质被无谓损耗；激光剥片这一新技术的出现可以显著降低衬底成本，是推动碳化硅器件渗透的重要手段。

晶飞团队具有丰富的激光加工经验，在激光器和激光物质底层理论研究方面具有较强的技术积累，在激光剥片工艺层面也有多年的经验沉积。凭借团队极强的技术攻关能力，公司已获国内多家头部碳化硅衬底厂认可，有望在切片设备领域完成工艺迭代，成为领先的供应商，为新能源革命做出积极贡献。

创新引入激光垂直剥离技术

贡献行业降本新选项

半导体材料是半导体产业链发展的基石，21世纪初至今，第三代半导体材料显示出了优于传统硅基材料的特性，其中又以碳化硅为代表的第三代半导体材料功率器件逐渐进入产业化加速放量阶段，市场景气度持续提升。这是由于 碳化硅具有大带隙、大载流子漂移速率和大热导率这三大特性，做成的器件有高功率密度、高频率、高温和高电压这“四高”性能，因此是高压功率器件的演进方向， 在新能源汽车、光伏、轨道交通等各类场景下拥有广泛的使用前景。

在这一背景下，晶飞半导体的创业契机正源于对中国半导体产业发展的深刻理解以及对第三代半导体材料加工中存在问题的洞察。

制约碳化硅在功率器件渗透率的核心要素便是成本， 从成本结构来看，衬底成本占比在SiC器件中高达47%，传统硅基器件仅有7%； 因此碳化硅衬底降本是实现SiC快速渗透的重要途径。当前，第三代半导体材料如碳化硅、氮化镓等在硬度和脆性方面存在挑战，而 传统金刚线切割方法在生产晶圆时导致切割损耗严重、切割速度慢等问题，从而推高了晶圆的价格。

传统线切VS激光剥离（数据来源：elektroniknet.de)

晶飞半导体成立的契机在于致力于解决这些难题。通过引入激光垂直剥离技术， 公司能够实现对第三代半导体材料的高效、精准剥离，相对于传统金刚线切割工艺， 不仅提高了加工速度，还减少了损耗，降低了生产成本。此技术创新为中国半导体产业带来了新的可能性，使得高质量、低成本的第三代半导体材料的生产变得更为可行。

自主研发国内首创

“打磨”出更高效解决方案

晶飞专注于激光垂直剥离技术研究，旨在实现对第三代半导体材料的精准剥离，以有效降低碳化硅衬底的生产成本。在6英寸和8英寸碳化硅衬底激光垂直剥离技术的研发方面，公司近5年连续获得“北京市科技计划项目”支持，并正与国内头部的衬底企业展开合作工艺开发。公司的技术源自中科院半导体所的科技成果转化，创始团队深耕于激光精细微加工领域，利用超快激光技术，为各种超薄、超硬、脆性材料提供激光解决方案，积极推动激光精细加工在制造业的国产化和传统工艺替代。

公司目前研发人员占比80%，其中40%以上的人员具备博士学位，通过将高度多元化的专业团队——包括机械、电气、软件和光学专业融合在一起，致力于技术创新。

相较于传统金刚线切割工艺，激光垂直剥离技术可完成 高效、精准的材料剥离，同时减少了碳化硅晶圆的损伤，从而解决了加工速度低、损耗大、成本高等问题。

从具体数据提升上来看，激光垂直剥离相比于金刚线剥离优点在于： 金刚线剥离的线损为200μm，研磨和抛光的损失为100μm；激光垂直剥离晶圆的线损为0，脉冲激光在晶锭内部形成爆破层，在分离后由于裂纹延伸的存在， 在后续抛光加工后材料损失可控制在80~100μm。相比于金刚线剥离损失的1/3，这大大节约了剥离损失；对于厚度为 2 cm的晶锭，使用 金刚线切割晶圆产出量约为 30 片，然而采用激光剥离技术晶圆产出量约为 45 片，增加了约 50 %。

目前，晶飞的第一代样机已完成组装与调试，正在与头部企业客户进行合作验证和工艺开发，加之团队此前已经做了大量的知识产权储备，使公司能够在多个领域提供创新解决方案，通过与客户的紧密合作以确保他们够充分利用公司的设备和技术，让公司的创新成果在半导体材料加工中具有巨大潜力，为客户提供更高效、更精确的加工解决方案。