氧化钒(VO_x)根据不同价态表现出不同的电学特性，其电学和光学特性还与薄膜的结构有关。通过不同的沉积方法，可以得到不同态的氧化钒。目前制备氧化钒薄膜的方法有真空蒸镀、溅射、气相沉积和溶胶-凝胶法等。适当改变制备条件可以制得不同结构的氧化钒薄膜, 这种结构对薄膜的性能会产生明显的影响。

光电子科学与工程学院“微纳光电子技术团队”一直从事氧化钒材料的研究。课题组通过磁控溅射系统，制备了一种新型纳米结构亚稳态的单斜晶系VO₂(B)薄膜。测试结果表明薄膜的方块电阻在室温下为20~50k?，退火前的电阻温度系数高达-7%/K。通过扫描电镜显微镜测试，VO₂(B)微晶的平均晶粒直径在100nm至250nm之间。退火之后，VO₂(B)转变为单斜晶系的VO₂(M)，平均晶粒直径减小到20nm至50nm之间。通过这种两步生长的方法，可以制备出两种氧化钒，一种具有较高的电阻温度系数，这会促进其在高灵敏度非制冷微测辐射热计方面的应用；另外一种则可作为光开光的选择，课题组在激光诱发的加热测试系统下对样片进行测试，开关时间约为50ms。

该项研究得到了国家自然科学基金(60671004)以及新世纪优秀人才计划(NCET-07-0319)的支持，结果发表在Optics Express(2009，17,(26): 24153-24161)上。