齐纳二级管偏置电路

　　表3：电路参数及期间参数选择。

　　虽然电阻偏置电路技术成本很低，并且始终能保持运放输出控制在Vs/2，但运放的共模抑制能力完全依靠RA/RB与C2构成的RC时间常数。通过使用C2可以提高至少10倍的RC（RC通过R1/C1与RIN/CIN的网路构成）时间常数，这将有助于提高共模抑制比。RA与RB在使用100kΩ，并且电路带宽没有降低的时候，C2可以保持相当小的容量。也可以采用其它的方法在单电源中提供偏置电压，并且有很好的电源抑制与共模抑制。比如在偏置电路中可以使用一个齐纳二极管调整偏置电压，提供静态工作点。

　　图4：利用相同的齐纳二极管的反相放大器电路的偏置方法。

　　在图3中，电流通过电阻RZ流到齐纳二极管，形成偏置工作点。电容CN可以阻止齐纳二极管产生的噪声通过反馈进入运放。要想实现低噪声电路需要使用一个比10uF还大的CN，并且齐纳二极管应该选择一个工作电压在Vs/2。电阻RZ必须选择能够提供齐纳二极管工作在稳定的额定电压上和保持输出噪声电流比较低的水平上。因为运放的输入电流只有1pA左右，几乎接近零，所以为了减小输出噪声电流，低功耗的齐纳二极管是非常理想的选择。可以选择250mW的齐纳二极管，但为了考虑成本，选择500mW的齐纳二极管也是可以接受。齐纳二极管的工作电流会因制造商的不同有些差别，在应用中一般IZ在5mA（250mW）与5uA（500mW）之间比较好。

　　表4：电路参数及期间参数选择

　　在齐纳二极管的工作极限范围之内，采用下面电路（图3、图4）将有比较好的电源抑制能力。但这个电路有一些缺陷，因为运放输出的静态工作点是齐纳二极管的电压而不是Vs/2。如果电源电压下降，大信号输出的波形将会失真（出现不对称的削顶波形），此时电路还要消耗更多的电能。电阻RIN与R2应该选择相同的电阻值，防止偏置电流引起更大的失调电压误差。