在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得λc=1。24/Ei式中Ei代表杂质能级的离化能。

到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功，并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x=0。2的HG0。8Cd0。2Te材料，可以制成响应波长为8～14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge：Hg探测器相比有如下优点：

工作温度高(高于77K)，使用方便，而Ge：Hg工作温度为38K;本征吸收系数大，样品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。

通常，凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0。75Cd0。25Te等;在长于8微米波段有：Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。

可见光波段的光电导探测器CdS、CdSe、CdTe的响应波段都在可见光或近红外区域，通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度(远大于1电子伏)，可以在室温下工作，因此器件结构比较简单，一般采用半密封式的胶木外壳，前面加一透光窗口，后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构，玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。

器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻，当偏压为70伏时，暗电流为10-6～10-8安，光照灵敏度为3～10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比CdS高。

光敏电阻另一个重要参数是时间常数τ，它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后，光电流下降到最大值的1/e(约为37%)所需的时间为时间常数τ。也有按光电流下降到最大值的10%计算τ的;各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大(毫秒量级)。

红外波段的光电导探测器PbS、Hg1-xCdxTe的常用响应波段在1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。

响应波长越长的光，电导体这种情况越显著，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作(灵敏度略有下降)。3～5微米波段的探测器分三种情况：

在室温下工作，但灵敏度大大下降，探测度一般只有1～7×108厘米·瓦-1·赫;热电致冷温度下工作(约-60℃)，探测度约为109厘米·瓦-1·赫;77K或更低温度下工作，探测度可达1010厘米·瓦-1·赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。

红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多，PbS探测器的时间常数一般为50～500微秒，HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号，例如10-14瓦;输出的电信号也非常小，因此要有专门的前置放大器。

光电探测器的应用有哪些呢？以上就是小编在这方面为您做的一些介绍，通过上述文章的介绍，相信您对光电探测器已经有了比较深入的了解了吧。除此之外，光电探测器的应用选择也有一些讲究，在那些要求不是很严格的应用中，一般可以使用任何一种探测器。但是，在某些特定的情况下，就需要慎重选择光电探测器。