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半导体激光器

SOA-S-OEC-1550 1.55μm 半导体光放大器

星之球激光 来源:英国CIP公司2013-04-10 我要评论(0 )   

特征: 1.55m 运行; 高增益 低饱和输出功率 超快增益恢复时间 低饱和 PDG InP 隐埋式异质界面设计 TEC 制冷 光学和电学特征 @20 ℃ , 1535-1530nm Test condition Min....

 

特征:

Ø 1.55μm运行;

Ø 高增益

Ø 低饱和输出功率

Ø 超快增益恢复时间

Ø 低饱和PDG

Ø InP隐埋式异质界面设计

Ø TEC制冷

光学和电学特征@20, 1535-1530nm

 

 

 

 

Test condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

小信号增益

I=500mA

 

20

 

dB

偏振相关增益

I=500mA, Pin>0dBm

 

0.2

1

dB

饱和输出功率

I=500mA

6

 

 

dBm

饱和增益恢复时间

I=500mA, Pin>0dBm, 1555nm

 

10

 

ps

 

 

绝对最大值

  

 

SYMBOL

RATING

UNIT

最大前向偏置直流电流

IFmax

700

mA

最大前向偏置直流电压

VFmax

5

V

最大反向偏置直流电压

Vrmax

2.0

V

最大输入光功率

Pmax

+13

dBm

最大 TEC电流

TECIM

2.0

A

最大 TEC电压

TECVM

3.6

V

运行温度

T

15-40

°C

存储温度

TS

10-70

°C

光纤类型

SMF-28 900μm tight buffer, >1m

 


 

 

 

 

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