激光技术水平主要表现在于激光器技术水平及基于此的应用。固体激光器根据其能量大、峰值功率高、结构紧凑、牢固耐用等优点，广泛应用于工业、国防、医疗、科研等方面。但是传统的固体激光器通常采用高功率气体放电灯泵浦，其泵浦效率约为3%到6%。泵浦灯发射出的大量能量转化为热能，不仅造成固体激光器需采用笨重的冷却系统，而且大量热能会造成工作物质不可消除的热透镜效应，使光束质量变差。

加之泵浦灯的寿命约为300小时，操作人员需花很多时间频繁的换灯，中断系统工作，使自动化生产线的效率大大降低，但如果采用二极管泵浦的固体激光器，则可以很好的避免这一点。要适应新环境下的应用，固体激光器就必须向着全固化、超短脉冲、短波长的方向发展，目前也取得了一定的成绩，上海光机所强光光学开放研究实验室成功建立了5.4太瓦(1012w)/46飞秒级小型化超强超短激光装置，重复频率每秒10次，稳定可靠，工作台面占地不到10平米，光束质量优良，具备提供1018～1019w/cm2量级的超高超快强场能力。日本一技术开发机构经过实验确认短波长的紫外线可制造线宽为0.07微米的半导体元件，实用化后可将存储元件的信息存储容量提高60倍。

现在的半导体元件加工技术多采用波长为250纳米的紫外线激光在线路板上曝光，能够蚀刻线宽为0.25至0.15微米的半导体元件。由日本政府和企业联合组成的超尖端电子技术开发机构通过实验确认，使用波长为13纳米的紫外线可加工线宽为0.07微米的精细半导体电路。