远场模式的UV-C激光投影到屏幕上。

UV-C半导体激光器的截面结构。

脉冲作用下UV-C半导体激光器的发射特性。

根据《应用物理学快报》杂志的一篇报道，日本名古屋大学已经与旭华成公司合作制造了一种能够发射深紫外光的激光二极管。

Chiaki大学电子未来研究中心

能发射短波紫外光的激光二极管简称UV-C，其波长范围为200～280nm，可用于医疗消毒、皮肤病治疗、气体及DNA分析。

ChiakiSasaoka教授研制的深紫外半导体激光器克服了半导体器件发展中的一些问题。他们使用高质量的氮化铝作为激光二极管层的衬底。研究人员说，这是必要的，因为低质量的AlN中含有大量缺陷，这将影响激光二极管有源层将电能转换为光能的效率。

在激光二极管中，“p型”和“n型”层被“量子阱”隔开。当电流通过半导体激光器时，p型层中的正电荷空穴和n型层中的负电荷电子将聚集到中心，最终以光子的形式释放能量。研究人员设计的量子阱发射深紫外光。他们用Gan铝制备了p型层、n型层和包层。覆盖层位于p和n型地层的两侧。通过掺杂将硅杂质添加到n型层下方的包层中，并通过分布偏振掺杂将其他杂质添加到p型层上方的包层中。p层一侧的覆盖层设计为底部最高，逐渐减少至顶部。研究人员认为铝梯度可以增强带正电空穴的流动。最后，制备了Mg掺杂Gan铝的表面接触层。在实验中，研究人员发现，只有当脉冲电流达到13.8伏特的低工作电压时，偏振掺杂p层才能发出迄今为止最短波长的紫外光。

之前，Sasaoka教授团队正在与旭华成公司联合开发，实现室温下连续深紫外激光发射，进而开发UV-C半导体激光产品。