1、此系列产品以研发项目形式进行，为了更快的进入市场，赢得客户的反馈，项目组员从设计开发到样品研制再到初步老化寿命数据用时不到半年，产品技术指标满足设计开发指标，可与国外产品技术指标进行对标，在产品密封可靠性等方面超过国内外相同产品。
2、同期内在内部固体激光器已验证，性能效果与进口激光器泵浦源性能效果无差异，达到自研替代外购，实现国产替代进口的设计开发目标。
申报产品
高功率锁波长光纤耦合半导体激光器
主要用途及该产品及服务的时长
主要用途：固体激光器泵浦源。
半导体激光器是光纤激光器、固体激光器等多种光泵浦激光器的核心泵浦源。
服务时长：
目前在内部固体激光器泵浦服务时长现已近5000H。
技术参数
产品主要技术指标描述
产品技术指标描述
Ø CW输出功率：65W
Ø 中心波长：878.6±0.5nm/888±0.5nm
Ø 光谱宽度：≤0.5nm
Ø 光纤芯径：200/220与400/440um可选
Ø 工作电流： ＜14A
Ø 电光转换效率：＞45%
Ø 锁波长稳定温度范围：18℃~32℃
Ø 锁波长稳定电流范围：7A~14A
Ø 数值孔径：0.22NA
Ø 光纤长度：1.5m（可选）
Ø 光纤连接头：SMA905
Ø 波长漂移量：0.03nm/℃
Ø 存储温度：-30~80℃
产品特点
该款产品体积小、废热少、噪音小、电光转换效率高、省电，产品密封性高。
产品扼要说明：采用国产芯片，采用国产反射式VBG，避免关键核心物料被国外卡脖子的风险，在较大区间温度内及较大区间电流内锁定波长光谱压缩，实现878.6nm±0.5nm锁波长与窄光谱输出。
产品创新
技术团队：研发技术团队总负责人马英俊、清华大学硕士毕业、在激光领域有近20年带领技术团队研发及管理经验，技术团队成员 张攀、孙继超 等有在国内外知名激光公司研发及管理生产经验。
设计开发背景：开发背景1、内部产业链条布局匹配完善；2、高性能、高亮度、窄线宽、880nm锁波长半导体激光器基本依赖进口国外公司供应国内厂商，对国内激光产业链发展存在遏制风险，从而开发达到国产化。
关键创新点：1、全套物料国产化，芯片、模块可靠性出发进行光学设计模拟，使产品效果达到最佳。2、结构设计从材料热膨胀评估设计达到结构无变形提高激光器外腔锁波稳定性可靠性。3，光纤耦合工艺采用全新的激光焊接工艺，和市面上用胶封装工艺截然不同，大幅提高产品的可靠性。
市场情况
1、半导体激光器固体激光器光泵浦激光器的核心泵浦源，目前国内锁波长光纤耦合半导体激光器国产化率较低，核心元器件泵浦源进口替代正当时。2、与国内880nm波段芯片头部供应商紧密合作共同创新，通过对芯片封装及泵浦管壳封装进行整体热量优化提升。3、从产品密封性及环境因素优化。4、VBG外腔锁波优化。解决了国产化锁波长光纤耦合半导体激光器长期稳定性，完善内部固体激光器泵浦产业链，解决了国产化替代进口泵浦源瓶颈。
