此次制作的单结晶。JAXA提供

6月19日消息，日本宇宙航空研究开发机构（JAXA）成功制造出了30mm见方的InGaAs单结晶。这是通过利用宇宙实验获得的成果，开发出使温度与浓度梯度一致的新结晶成长法，并通过减小溶液的厚度抑制对流实现结晶化。该产品是根据以独立行政法人新能源及产业技术综合开发机构（NEDO）为中心制定的共同研究协议，由JAXA与NTT及Furuuchi Chemical共同开发出来的。

　　另外，JAXA等还采用此次开发的结晶技术制造出了半导体激光器，并利用光纤进行了通信实验。采用波长为1.3μm的激光成功进行了20km的远程通信。通过光纤传导准确无误地传输了每秒1010次的闪烁信号。

　　InGaAs半导体激光器与原来的InP半导体激光器相比，即使温度升高，输出功率也不会明显降低。因此，无需冷却，因而可减少耗电量。JAXA期待今后InGaAs半导体激光器可作为能够大幅削减耗电量的半导体激光器，应用于基于光通信的都市网络基站。

图：新结晶成长法的原理（左）新开发的激光器的结构（中间）比较输出温度依存性的概念图（右）

　　JAXA计划从2010年秋到2011年在“希望”太空实验室的微小重力环境下进行结晶成长实验，以便在宇宙中制造出构造更加均匀的理想的单结晶。通过与在地面获得的单结晶相比较，开发出性能更高的单结晶制造技术。