并不是所有的激光均适合LED刻划，原因在于晶圆材料对于可见光波长激光的透射性。GaN对于波长小于365nm的光是透射的，而蓝宝石晶圆对于波长大于177nm的激光是半透射的，因此波长为355nm和266nm的三、四倍频的调Q全固态激光器（DPSSL）是LED晶圆激光刻划的最佳选择。尽管准分子激光器也可以实现LED刻划所需的波长，但是倍频的全固态调Q激光器体积更小，比准分子激光器所需的维护更少，而且在质量方面，全固激光器刻划线条非常窄，更适合于激光LED刻划。

　　激光刻划使得晶圆微裂纹以及微裂纹扩张大大减少， LED单体之间距离更近，这样既提高了出产效率也提高了产能。一般来讲，2英寸的晶圆可以分离出20000个以上的LED单体器件，因而切割的切缝宽度就会显著影响分粒数量；减少微裂纹对于分粒后的LED器件的长期可靠性也会有明显的提高。激光刻划与传统的刀片切割相比，不但提高了产出效率，同时提高了加工速度，避免了刀片磨损带来的加工缺陷与成本损耗，总之，激光加工精度高，加工容差大，成本低。

　　总结：

　　随着照明市场的持续增长，LED制造业对于产能和成品率的要求变得越来越高。激光刻划技术将成为LED制造业普遍使用的技术，甚者成为了高亮度LED晶圆加工的工业标准。