一,COB封装
目前,LED封装方法大致可区分为透镜式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type),其中透镜的成型可以是模塑成型(Molding)或透镜黏合成型;而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型;近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟,LED的芯片尺寸与结构逐年微小化,高功率单颗芯片功率达1~3W,甚至是3W以上,当LED功率不断提升,对于LED芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求,便日益严苛。
鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考量,陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜工艺(Thick film)、低温共烧工艺(LTCC)与薄膜工艺(DPC)等方式制成。然而,厚膜工艺与低温共烧工艺,是利用网印技术与高温工艺烧结,易产生线路粗糙、对位不精准、与收缩比例问题,若针对线路越来越精细的高功率LED产品,或是要求对位准确的共晶或覆晶工艺生产的LED产品而言,厚膜与低温共烧的陶瓷基板,己逐渐不敷使用。
为此,高散热系数薄膜陶瓷散热基板,运用溅镀、电/化学沉积,以及黄光微影工艺而成,具备金属线路精准、材料系统稳定等特性,适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势,更是解决了共晶/覆晶封装工艺对陶瓷基板金属线路解析度与精确度的严苛要求。当LED芯片以陶瓷作为载板时,此LED模组的散热瓶颈则转至系统电路板,其将热能由LED芯片传至散热鰭片及大气中,随着LED芯片功能的逐渐提升,材料亦逐渐由FR4转变至金属芯印刷电路基板(MCPCB),但随着高功率LED的需求进展,MCPCB材质的散热系数(2~4W/mk)无法用于更高功率的产品,为此,陶瓷电路板(Ceramic circuit board)的需求便逐渐普及,为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性,以陶瓷作为散热及金属佈线基板的趋势已日渐明朗。陶瓷材料目前成本高于MCPCB,因此,如何利用陶瓷高散热系数特性下,节省材料使用面积以降低生产成本,成为陶瓷LED发展的重要指标之一。因此,近年来,以陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商的重视。
COB,在电子制造业里并不是一项新鲜的技术,是指直接将裸外延片黏贴在电路板上,并将导线/焊线直接焊接在PCB的镀金线路上,也是俗称中的打线(Wire bonding),再透过封胶的技术,有效的将IC制造过程中的封装步骤转移到电路板上直接组装。在LED产业中,由于现代科技产品越来越讲究轻薄与高可携性,此外,为了节省多颗LED芯片设计的系统板空间问题,在高功率LED系统需求中,便开发出直接将芯片黏贴于系统板的COB技术。
COB的优点在于:高成本效益、线路设计简单、节省系统板空间等,但亦存在着芯片整合亮度、色温调和与系统整合的技术门槛。以25W的LED为例,传统高功率25W的LED光源,须采用25颗1W的LED芯片封装成25颗LED元件,而COB封装是将25颗1W的LED芯片封装在单一芯片中,因此需要的二次光学透镜将从25片缩减为1片,有助于缩小光源面积、缩减材料、系统成本,进而可简化光源系二次光学设计并节省组装人力成本。此外,高功率COB封装仅需单颗高功率LED即可取代多颗1瓦(含)以上LED封装,促使产品体积更加轻薄短小。
据了解,目前COB封装的球泡灯已经占据了LED灯泡40%左右的市场,日本及国内很多企业都开始走COB封装模式。业内人士预测,COB封装将成为未来发展的必然趋势。
虽然COB封装的呼声很大,回温迹象明显,但前景似乎也并未明朗。“在两三年内,COB封装技术还是不能成为主流”浙江亿米光电科技有限公司研发部的邹军博士。他补充道,由于目前国内大部分企业还是采用传统的封装方式,在技术和成本各种条件的制约,外来技术传入及普及还需要时间,COB封装技术还不能很快占据大势,但不可否认的是,COB封装技术是目前一个强劲的发展方向。
一个尴尬的境地在于,目前应用企业对COB集成封装的需求很少。由于上一轮的投入失败,导致很多照明应用企业不敢轻易使用这一封装方式。据了解,COB封装技术的瓶颈在于如何提高光源的可靠性,及其环境的试用度,然而,目前市场上能量产COB光源的封装企业不多,而且大多使用铝基板作为材料。铝基板COB由于其热阻较大,可靠性不高,容易出现光衰和死灯的现象。陶瓷基虽然是COB的理想材料之一,但是由于成本高,在功率小于2W时成本较高,难于被客户接受。
“与传统LED封装技术相比,COB面板光源光线很柔和,具有非常大的市场,是未来的一个发展方向”,日明科技董事长王锐勋表示。
“市场上对于COB光源还处于观望态度,需求不高。小芯片使用较多,大芯片的COB封装还存在热阻和光效等诸多问题”,台湾某封装技术工程师表示。对此,网络上网友也各执一词,大部分对COB封装存在疑惑,不清楚其“是否适合大批量生产”。
但是目前包括台湾厂商在内,能做成高可靠性COB光源的企业凤毛麟角。因此,为了增强市场需求,有不少企业实行COB封装与应用一体化,解决产品标准不一致的问题。
二, 高压LED
在同样输出功率下,高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED。如以晶元光电的高压蓝光1WLED为例,它的正向压降高达50V,也即它只需20mA驱动电流就可以输出1W功率,而普通正向压降为3V的1WLED,需要350mA驱动电流才能输出1W功率,因此同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED,这意味着散热铝外壳的成本可大大降低。
高压LED可以大幅降低AC-DC转换效率损失。以10W输出功率为例,如果采用正向压降为50V的1W高压LED,输出端可以采取2并4串的配置,4个串联LED的正向压降为200V,也就是说只需从市电220V交流电(AC)利用桥式整流及降20V就可以了。但如果我们采用正向压降为3V的1W低压LED,即便10个串在一起正向压降也不过30V,也就是说需要从220VAC市电降压到30VDC。我们知道,输入和输出压差越低,AC到DC的转换效率就越高,可见如采用高压LED,变压器的效率就可以得到大大提高,从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失,这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本。
因此,如采用高压LED来开发LED通用照明灯具产品,总体功耗可以大大降低,从而大幅降低对散热外壳的设计要求,如我们可用更薄更轻的铝外壳就可满足LED灯具的散热需求,由于散热铝外壳的成本是LED照明灯具的主要成本组成部分之一,铝外壳成本有效降低也意味着整体LED照明灯具成本的有效降低。由此可见,高压LED可以带来LED照明灯具成本和重量的有效降低,但其更重要的意义是大幅降低了对散热系统的设计要求,从而有力扫清了LED照明灯具进入室内照明市场的最大技术障碍。因此,高压LED将主导未来的LED通用照明灯具市场。
LED企业对高压LED的持续热情,也伴随着高压LED客户的增加,相比之下,低压LED芯片面临着越来越难卖进LED通用照明市场的危险。
相比低压LED,目前比较流行的说法是,高压LED有两大明显竞争优势:第一,在同样输出功率下,高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED。第二,高压LED可以大幅降低AC-DC转换效率损失。#p#分页标题#e#
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