美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）中村修二教授领导的研究小组开发出了利用GaN结晶无极性面的蓝紫色半导体激光器。该研究小组表示，开发成功利用GaN结晶无极性面的蓝紫色激光器在全球为首款产品。

　　此前，该研究小组已着手进行了利用无极性面的发光二极管（LED）的开发。“我们开发出了临界电流密度较低的无极性面半导体激光器。该激光器比目前HD DVD设备和蓝光光盘设备中使用的利用c面（极性面）的蓝紫色半导体激光器耗电量更低、寿命更长”（中村）。此次试制的无极性面蓝紫色半导体激光器在脉冲振荡时，临界电流密度为7.5kA/cm2、振荡波长为405nm。

　　目前市场上的GaN系蓝色LED和蓝紫色激光器利用的都是GaN结晶的极性面c面。无极性面是指极性面法线方向上的面。与极性面相比，具有发光效率高等优势。这是因为利用无极性面，能够减弱造成发光效率下降的压电电场。

　　目前，开展利用m面和a面等无极性面的LED相关研究的除了以中村为中心的研究小组外，京都大学和日亚化学工业的研究小组、罗姆公司等也在积极进行LED元件的研制。

　　该研究小组预定利用此次的开发成果，于2007年 2月上旬在UCSB进行发光等实际演示。