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华灿光电欲投资12亿建设LED外延芯片三期项目

星之球激光 来源:LEDinside2014-04-21 我要评论(0 )   

上周五(18日)华灿光电发布公告,公司拟投资LED外延片芯片三期项目,项目总投资11.84亿元。公司股票将于21日复牌。 公告显示,华灿光电(苏州)有限公司LED外延片芯片...

 上周五(18日)华灿光电发布公告,公司拟投资LED外延片芯片三期项目,项目总投资11.84亿元。公司股票将于21日复牌。

公告显示,华灿光电(苏州)有限公司LED外延片芯片三期项目属于扩建项目,在华灿苏州公司现有厂区内建设。本项目拟利用厂区现有外延厂房和芯片厂房总面积14,500平方米,拟购置MOCVD、PECVD、ICP等生产及辅助设备589台/套(其中:进口设备466台/套,国产设备123台/套)。

项目投资总额11.84亿元,其中设备投资9.31亿元,土建及安装工程0.54亿元,铺底流动资金1亿元,建设期为一年。项目建成后,将形成年产4英寸LED外延片65.6万片、LED芯片262.4亿颗的生产能力,项目的年销售规模7.99亿元,年利润1.60亿元。

项目将筹集投资资金11.84亿元,其中自筹资金4.24亿元,债务融资7.60亿元。

另外,华灿光电规划未来三年在苏州子公司已有第一、二期项目的基础上,将产能扩增至每月生产并处理折合2英寸外延100万片的目标,按照目前机型估算,相当于购置200台MOCVD及配套PVD等外延芯片配套设备的设备规模。

 

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