据晶元光电测试数据表明，一般si MOSFET转换的效率在87%，而更换 GaN 功率元器件可实现95%。但GaN材料一直被用在LED蓝光衬底材料，却忽视了其最原始半导体材料的应用。

而据美国能源局数据显示，全球能源除了天然气、煤炭和核能以外占居11.1%的风电、太阳能等能源，在使用si功率器件实现能源转换时，损失率高达10%，可见GaN材料的应用不应仅限于此。

晶元光电研发中心副总经理谢民勋先生表示，4H-SiC第一代被商业化的晶体管通过大尺寸，高成本来维持大电流的流通，而如金GaN高压晶体管可以实现高压、大电流，响应速度快以及更低成本。

从传统的灯泡到今天的LED，照明经历着传统照明、直流驱动LED照明到AC LED照明。AC LED或将是LED照明的最终最理想的方式，而目前市场最为关注的就是高压LED。

作为高压LED最重要的就是驱动元件，而GaN功率器件的出现解决了这个问题。据谢明勋先生表示，GaN功率器件是集电感电容的体积小、耐温为一体的产品，实现LED照明产品电路简单化。

晶元光电作为领先者，更是采用协同开发模式推出基于GaN高压晶体管的DOB技术，将电源驱动器直接封装在印刷电路板上，缩小光源尺寸，大幅降低传统灯具厂进入LED照明的门槛。以蓝光材料驱动蓝光LED，让LED应用无限可能的理想照进现实。