近日，中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中电科二所”）传来好消息，在SiC激光剥离设备研制方面，取得了突破性进展。

该科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶片的激光剥离。

中电科二所以解决SiC衬底加工效率这一产业突出难题为目标，将SiC激光剥离设备列为重点研发装备，借此实现激光剥离设备国产化，力争使其具备第三代半导体核心装备研发、产业化和整线装备解决方案的能力。据报道，该研发项目已通过专家论证，正式立项启动。

中国电科二所于1962年成立于北京，1965年迁入太原。

公开消息显示，多年来，该所立足自主装备与产业融合，已形成了高端制造装备和工艺技术集成的能力。目前，中国电科二所的科研方向以智能制造、微电子、第三代半导体和新能源等为主。近20年来，其自主研发的碳化硅材料、微组装设备等均达到国内领先水平；实现了光伏新能源、微电子共烧陶瓷器件、碳化硅衬底材料的产业化。