阅读| 订阅
阅读| 订阅
展会新闻

上海功成半导体科技有限公司——聚焦光储充 迈向碳中和

2023-03-21我要评论(0)

第十一届中国电子信息博览会(CITE 2023)将于2023年4月7-9日登陆深圳会展中心(福田),以“创新引领 协同发展”为主题,在80000平方米展示面积打造全产业链科技应用场...

第十一届中国电子信息博览会(CITE 2023)将于2023年4月7-9日登陆深圳会展中心(福田),以“创新引领 协同发展”为主题,在80000平方米展示面积打造全产业链科技应用场景,硬科技同台“飙技”,掀起一场信息产业的新浪潮!届时,上海功成半导体科技有限公司将在1号馆1C033展位亮相。

上海功成半导体科技有限公司(CoolSemi)成立于2018年5月,总部位于上海,在无锡、深圳、成都等地设立分公司。功成半导体以市场需求为导向,技术创新驱动,致力于半导体功率器件的研发与产业化,为客户提供高效可靠的产品。主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。

展品1

展品名称:SJ MOSFET

展品类别:功率器件

展品特点:SJ MOSFET(Super Junction MOSFET)超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层,突破了传统硅基MOS器件的理论极限,相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系,SJ MOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJ MOSFET的导通电阻RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到明显降低,成为高压开关转换器领域的高效率典型功率器件。

CoolSemi的高压SJ MOSFET,在全球领先的华虹宏力Deep-Trench工艺平台上,采用专利器件结构及特色工艺,开发出了覆盖500V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计,产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用,也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用。

典型应用产品:充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用,也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域

展品2

展品名称:IGBT

展品类别:功率器件

展品特点:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管,是在普通VDMOS基础上,晶圆背面增加了P+注入,利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量,从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGBT器件电流密度高且功耗低,能够显著提高能效、降低散热需求,适用于高电压、大电流等大功率场景。

Coolsemi的IGBT采用目前业内最新的trench FS工艺,依托于国内成熟且工艺领先的8寸/12寸晶圆生产线,拥有更低的导通压降和开关损耗,以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品根据应用场景的不同,拥有F、S、D、L等系列,覆盖了600V~1200V以及5A~100A的功率范围,广泛应用于通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电焊接、开关电源以及汽车电子等领域。

典型应用产品:通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电焊接、开关电源以及汽车电子等领域。


转载请注明出处。

免责声明

① 凡本网未注明其他出处的作品,版权均属于hth官方 ,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的,应在授权范围内使 用,并注明"来源:hth官方 ”。违反上述声明者,本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责,版权归原作者所有,如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益,请及时向本网提出书面权利通知,并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后,将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。

网友点评
0 相关评论
精彩导读
新闻更新 关键字库 产品更新 企业名录 新闻文章 会议展览 站点地图
Baidu
map